场效应晶体管的测试
场效应晶体管的测试
1 只结型场效应晶体管的引脚识别方法
场效应晶体管的栅极相当于晶体管的基极，源极和漏极则分别对应于晶体管的发射极和集电极。将万用表置于R×1k挡位，用两支表笔分别测量每两个引脚之间的正向和反向电阻。当某两个引脚之间的正向与反向电阻均相等，且数值均在KΩ级别时，这两个引脚即为漏极D和源极S（可互换），而剩余的那个引脚则是栅极G。对于具有四个引脚的结型场效应晶体管，另一个引脚为屏蔽极（使用时需接地）。
2个固定闸门
用万用表的黑探针接触管子的一个电极，再用红探针分别接触另外两个电极。如果两次测得的电阻值都非常小，则表明这两个电极均为正向电阻。由此可判断该晶体管属于N沟道场效应晶体管，且此时黑探针同时连接到了栅极。
制造工艺决定了场效应晶体管的源极和漏极是对称且可互换的，不会影响电路的正常工作，因此无需加以区分。源极与漏极之间的电阻约为几千欧姆。
请注意，此方法无法用于确定绝缘栅场效应晶体管的栅极。由于此类晶体管的输入电阻极高，且栅极与源极之间的极间电容非常微小，因此在测量过程中，即使少量电荷也可能在极间电容上形成高电压，从而极易损坏晶体管。
3. 估算场效应晶体管的放大能力
将万用表设置为R×100档位，将红色测试笔连接至源极S，黑色测试笔连接至漏极D，此时相当于向场效应晶体管施加了1.5V的电源电压。此时，指针会指示D-S极之间的电阻值。接着，用手指捏住栅极G，并将人体感应的电压作为输入信号施加于栅极。由于晶体管具有放大作用，UDS和ID均会发生变化，这等效于D-S极之间电阻的变化，从而可观察到仪表指针的显著摆动。如果在捏住栅极时，指针摆动幅度很小，则表明该晶体管的放大能力较弱；若指针完全不动，则说明晶体管已损坏。
由于人体感应产生的高频率50Hz交流电压，不同场效应晶体管在电阻模式下测量时，其工作点可能有所差异。因此，当用手捏住栅极时，指针可能会向右或向左摆动。少数管子的RDS减小，导致指针向右摆动；而大多数管子的RDS则增大，使指针向左摆动。无论指针摆动的方向如何，只要出现明显的摆动现象，就表明该管具有放大能力。
这种方法同样适用于MOS晶体管的测量。为保护MOSFET，需用手握住螺丝刀的绝缘手柄，并用金属棒接触栅极，以防止人体感应电荷直接施加于栅极，从而避免可能对晶体管造成的损坏。
在每次测量MOS晶体管后，G-S结电容上会积累少量电荷，从而建立电压UGS。再次测量时，探针可能无需移动。此时，应将G-S极短路。
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