IGBT模块为何会老化失效?应如何应对?

2022-07-28

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绝缘栅双极型晶体管(IGBT)模块广泛应用于风力发电、柔性交流输电、电机牵引以及航空等高电压、大功率逆变系统中。作为电力电子系统中最易发生故障的元件之一,IGBT的失效可分为突发性失效和老化性失效两类。若未能提前检测出IGBT的老化性失效,将直接导致系统故障,甚至使整个系统瘫痪,从而造成难以预估的经济损失。

IGBT由芯片层、焊料层、DBC(直接键合铜)层以及铜基板组成。IGBT模块的主要失效部位包括键合引线根部、芯片金属化层,以及材料间的焊料层。IGBT模块的封装结构如图1所示。

IGBT的失效主要与以下因素有关:

1)过热现象。当IGBT的结温超过其最大允许温度时,可能导致器件性能下降,甚至引发烧毁。过热通常由电流过大、散热不良或驱动电路问题引起。

2)过电流。当流经IGBT的电流超过其额定电流时,将产生大量热量,导致器件温度升高,并可能引发故障。过电流通常由负载短路、驱动电路故障或电路设计不当引起。

3)过电压。当IGBT承受的电压超过其额定电压时,可能导致器件击穿并损坏。过电压可能由开关操作过程中的瞬态过电压、雷击等因素引起。

4)瞬态过电流。在运行过程中,IGBT可能会遇到瞬态过电流现象,例如续流二极管的反向恢复电流、缓冲电容器的放电电流等。尽管这些瞬态过电流事件持续时间较短,但若不采取任何措施,将加重IGBT的负担,最终导致器件失效。

5)驱动电路。驱动电路的工作频率、输出电压的上升/下降沿速率与IGBT开关速率之间的不匹配,或辅助电源的平均输出功率和峰值功率不足,均可能导致IGBT工作异常并发生故障。

6)制造工艺、材料及使用环境。若在制造过程中存在工艺控制问题或使用了不合格材料,可能导致IGBT过早失效。此外,温度、湿度和机械应力等环境因素也可能影响IGBT的性能与使用寿命,从而引发故障。

1. 物理失效分析
物理失效是指IGBT在正常运行过程中,由于内部热应力导致材料发生变形,最终使其无法正常工作。物理失效主要包括键合线老化、金属化层重构以及焊接层退化[11]。

1)键合线的老化

键合线的老化主要包括两种情况:键合线脱落和键合线断裂,如图2所示。在正常运行过程中,IGBT会受到温度变化产生的热应力影响,这可能导致键合线分层,并进而引发故障,最终导致IGBT模块的老化与失效。

2)金属化层重建

随着IGBT功率循环次数的增加,芯片表面的铝金属层逐渐劣化,晶粒尺寸增大,同时铝层受到挤压。这种金属化层的重新构造将导致层电阻上升,进而引起饱和压降参数的增加,并可能引发局部热点甚至熔融现象。IGBT金属化层的重构过程如图3所示。

3)焊接层的退化

IGBT模块内部,DBC与芯片、DBC与基板之间的连接大多通过焊接完成。然而,长期的热循环应力可能导致焊接层发生脆化和开裂现象。IGBT焊料层的失效情况如图4所示。


2 电气故障分析
IGBT的电气失效是指在元件运行过程中,由于其内部电压和电流异常而引发的失效现象。电气失效的形式主要包括电 overstress失效、静电放电失效以及闩锁效应失效[12]。

1)电气过应力失效

IGBT电 overstress失效是指由于过电压和过电流等电气应力超过IGBT的承受能力而引发的失效现象。在关断过程中,IGBT会生成集电极-发射极过电压尖峰,导致器件短路,从而无法正常工作。

2)静电放电故障

在正常工作条件下,设备会积累电荷,这可能导致在电荷释放过程中设备材料层发生击穿。此时,若IGBT的栅极或输入端受到静电冲击,可能会对其内部电路或元件造成损坏,进而引发故障。

3)闩锁效应故障

当集电极电流增大到一定程度时,寄生晶闸管会受到正向偏置电压的影响而导通,导致栅极失去控制,形成自锁现象。这将引发集电极电流进一步增大,造成严重的功率损耗,并加速故障的发生。

3 种IGBT故障延迟方法
延缓IGBT失效的方法可从多个方面入手,包括:

1)热管理。过热是导致IGBT失效的主要因素之一,因此热量管理至关重要。可采用更高效的散热方案,例如优化散热器设计、增加散热面积、提升散热效率等,以降低IGBT的工作温度,避免因过热而造成的损坏。

2)电流控制。合理控制IGBT的电流大小及其变化速率,以避免超过IGBT的额定电流及电流变化率范围。可采用适当的驱动电路和参数,确保IGBT在安全范围内运行。

3)电压控制。为避免IGBT承受超过其额定电压的过电压或浪涌电压,可在IGBT两端并联适当的吸收电路,或采取相应的保护措施以吸收过电压或浪涌电压。

4)可靠性设计。在IGBT的可靠性设计方面,可采用冗余设计、故障诊断和隔离等技术,以提升IGBT的可靠性和稳定性。

5)制造过程控制。加强制造过程中的质量控制与工艺控制,以确保IGBT的品质与性能。可采用适当的筛选和测试方法,及时剔除早期失效的IGBT器件。

6)采用环境控制措施。确保IGBT在使用环境中不受过高温度、湿度、压力及其他环境因素的影响,避免环境因素对IGBT性能和使用寿命的不利作用。

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